将在年底推出 200 层 + NAND 闪存，数据传输速度提高 30%

品玩2年初9日讯，据 businesskorea 引述，大厂按计划在 2021 年末开始试作 176 层 NAND，但考虑到市场情况，推迟到了 2022 年第三季度。不过美国的美光已经开始试作 176 层 NAND，主创人员计算，大厂将进一步提高 200 层以上 NAND 闪存试作的稍稍，以收复被美光夺走的技术领先地位。

主创人员称，大厂将在 128 层的单片存储器上反转 96 层，上架 224 层的 NAND 闪存。与 176 层相比，224 层 NAND 闪存的生产商稳定性和原始数据传输速率将提高 30%。